型号:SI2307BDS-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 描述:MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2.5A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 78 毫欧 @ 3.2A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 15nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 380pF @ 15V |
功率_最大 | 750mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市品优时代科技有限公司 | 唐0755-23612326 |
深圳市裕硕科技有限公司 | 雷小姐086-0755-23613962/82706142 |
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
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